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 0755-27597068
氮化鎵KT65C1R200D

KT65C1R200D采用8 x 8 DFN封裝、650V、200 mΩ氮化鎵FET。它是一款常關(guān)器件，將最新的高壓氮化鎵 HEMT與低壓硅 MOSFET相結(jié)合，提供卓越的可靠性和性能。KT65C1R200D
經(jīng)JEDEC認(rèn)證，先進的動態(tài)RDSon測試，具有寬柵極安全裕度、低反向恢復(fù)的特性。符合RoHS、REACH、無鹵標(biāo)準(zhǔn)。提高硬開關(guān)和軟開關(guān)電路的效率（增加功率密度、減小系統(tǒng)尺寸和重量、整體系統(tǒng)成本較低）,也兼容傳統(tǒng)Si驅(qū)動器。
D-Mode氮化鎵二維電子氣濃度高，方阻低，共源共柵閾值電壓為3V， VGS耐壓在±20V，之間，動態(tài)電阻小于1.1，驅(qū)動更簡單

ID
型號（氮化鎵）
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最大漏極電壓
最大漏極電流
導(dǎo)通內(nèi)阻
封裝
柵極總電荷
反向恢復(fù)電荷
652564282113785856

KT65C1R070D

詳情
650V
24A
70m?
DFN8*8
9.5nC
110nC
652564282113785856

KT65C1R120D

詳情
650V
17A
120m?
DFN8*8
16.2nC
84nC
652564282113785856

KT65C1R200D

詳情
650V
12A
200m?
DFN8*8
11.9nC
53nC
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